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IRFB/IRFS/IRFSL17N20DPbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
200
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.25
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.17
?
V GS = 10V, I D = 9.8A
?
μA
100 V GS = 30V
V GS(th)
I DSS
I GSS
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.5 V V DS = V GS , I D = 250μA
25 V DS = 200V, V GS = 0V
250 V DS = 160V, V GS = 0V, T J = 150°C
nA
-100 V GS = -30V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
––– I D = 9.8A
g fs
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
5.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
33
8.4
16
11
19
18
––– S V DS = 50V, I D = 9.8A
50 I D = 9.8A
13 nC V DS = 160V
24 V GS = 10V, ??
––– V DD = 100V
ns
––– R G = 5.1 ?
t f
Fall Time
–––
6.6
––– V GS = 10V
?
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
1100
190
44
1340
76
––– V GS = 0V
––– V DS = 25V
––– pF ? = 1.0MHz ?
––– V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 160V, ? = 1.0MHz
C oss eff. Effective Output Capacitance
Avalanche Characteristics
–––
130
––– V GS = 0V, V DS = 0V to 160V ?
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
E AR
Single Pulse Avalanche Energy ??
Avalanche Current ?
Repetitive Avalanche Energy ?
–––
–––
–––
240
9.8
14
mJ
A
mJ
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
1.1
R θ CS
R θ JA
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface ?
Junction-to-Ambient ?
0.50
–––
–––
62
°C/W
R θ JA Junction-to-Ambient ?
Diode Characteristics
Parameter
–––
Min. Typ. Max. Units
40
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
––– –––
––– –––
16
64
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
Diode Forward Voltage
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 9.8A, V GS = 0V
?
t rr
Q rr
t on
2
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
––– 160 240 ns T J = 25°C, I F = 9.8A
––– 900 1350 nC di/dt = 100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
www.irf.com
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